随着系统复杂度的不断提高,传统封装技术已不能满足多芯片、多器件的高性能互联。而三维系统级封装(3D-system in package, 3D-SiP)通过多层堆叠和立体互联实现了芯片和器件的高性能集成。其中,硅通孔(Through silicon via, TSV)结构在3D-SiP 中发挥着极为关键的作用。系统性的回顾了 TSV 技术的研究进展,包括TSV 的技术背景、生产制造、键合工艺和应用特色,同时对比并总结了不同制造工艺和键合工艺的优缺点,如制造工艺中的刻蚀、激光钻孔、沉积薄膜和金属填充,键合工艺中的焊锡凸点制备、铜柱凸点制备和混合键合,讨论了 TSV 当前面临